2026-10-09
Aluminum nitride (AlN) là một tinh thể được thống trị bởi liên kết hợp hợp, một nitride giống kim cương hình sáu góc. Nó có một khoảng cách băng tần cực rộng (6,2 eV) và năng lượng liên kết exciton cực lớn,phân loại nó là một bán dẫn băng tần trực tiếpCấu trúc tinh thể của nó tương tự như của BeO và SiC. Do bản chất hướng cao của liên kết liên hợp của nó,AlN cung cấp các tính chất vật lý và hóa học xuất sắc như dẫn nhiệt cao.
Sự lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một con đường hiệu quả để sản xuất bột AlN với kích thước hạt đồng đều, độ tinh khiết cao và diện tích bề mặt cụ thể lớn.Các hợp chất nguồn nhôm dễ bay hơi (aluminium halide hoặc alkylaluminum) và amoniac (NH3) được đưa vào buồng phản ứng để phản ứngTrong quá trình phản ứng, NH3 phân hủy để cung cấp các nguyên tử nitơ hoạt động, và bột AlN được hình thành thông qua lắng đọng pha khí.
Ưu điểm của phương pháp này bao gồm độ tinh khiết cao của sản phẩm và kích thước hạt mịn.alkylaluminum tốn kém và đòi hỏi lưu trữ và vận chuyển đặc biệt dưới bảo vệ khí trơKết quả là, quá trình này vẫn chủ yếu ở giai đoạn nghiên cứu trong phòng thí nghiệm và chưa đạt được công nghiệp hóa quy mô lớn.
Gửi yêu cầu của bạn trực tiếp đến chúng tôi
