2025-08-25
Graphite phủ TaC thể hiện khả năng chống ăn mòn hóa học vượt trội so với graphite nguyên chất và có thể hoạt động ổn định ở nhiệt độ lên đến 2600°C. Đây là lớp phủ có hiệu suất cao nhất cho việc nuôi cấy đơn tinh thể bán dẫn thế hệ thứ ba và phát triển màng mỏng epitaxy trên wafer. Lớp phủ TaC giải quyết các khuyết tật ở cạnh tinh thể và cải thiện chất lượng phát triển tinh thể, khiến nó trở thành một trong những công nghệ cốt lõi để đạt được sự phát triển "nhanh, dày và lớn".
Hiện tại, lắng đọng hơi hóa học (CVD) là phương pháp phổ biến nhất để chuẩn bị lớp phủ TaC cho các ứng dụng bán dẫn. Gần đây, Viện Bán dẫn Đức và Tổ chức Nghiên cứu & Công nghiệp hóa TaC Nhật Bản đã chứng minh những ưu điểm đáng kể so với lớp phủ TaC CVD trong việc nuôi cấy đơn tinh thể GaN và phát triển PVT của đơn tinh thể SiC.
Công nghệ phủ TaC đa pha do Trung Quốc tự phát triển, trong khi vẫn đáp ứng các thông số kỹ thuật, có thể giảm đáng kể chi phí lớp phủ TaC so với các phương pháp CVD. Nó cũng mang lại những ưu điểm như độ bền liên kết cao, ứng suất nhiệt thấp, độ bịt kín tuyệt vời và độ ổn định ở nhiệt độ cao.
Gửi yêu cầu của bạn trực tiếp đến chúng tôi
