Mặc dù cả hai đều được gọi là "lắng đọng", PCD và CVD khác nhau rất nhiều về chức năng.
2026-09-21
Lý do chính:
PVD chủ yếu loại bỏ vật liệu nguồn bằng các phương tiện vật lý và vận chuyển chúng lên wafer.
CVD cho phép các chất tiền thân dạng khí liên tục trải qua các phản ứng hóa học trên bề mặt.
Khi lựa chọn một quá trình, những câu hỏi thực sự cần xem xét là vật liệu đến bề mặt như thế nào, nơi mà phim hình thành và cơ chế nào chấm dứt sự phát triển.
Các quy trình:
PVD: chiết xuất vật liệu từ nguồn rắn đầu tiên PVD là thuật ngữ chung cho Physical Vapor DepositionBốc hơi sử dụng các nguồn nhiệt hoặc chùm electron để làm bay hơi vật liệu; phun phun sử dụng các ion plasma để ném bom mục tiêu và đánh bại các nguyên tử mục tiêu.Các loại hình thành phim được vận chuyển trong chân không và cuối cùng ngưng tụ trên bề mặt wafer.
CVD: Các khí phản ứng liên tục để tạo thành các bộ phim sau khi đạt đến bề mặt CVD đại diện cho Chất thải hơi hóa học.Các chất tiền thân di chuyển với dòng khí đến gần wafer, đi qua lớp ranh giới, sau đó hấp thụ, phân hủy hoặc phản ứng trên bề mặt.trong khi các sản phẩm phụ dễ bay hơi bị cạn kiệt.
Gửi yêu cầu của bạn trực tiếp đến chúng tôi
Chính sách bảo mật Trung Quốc Chất lượng tốt Lò nung Sinter HIP Nhà cung cấp. 2019-2026 sinterhipfurnace.com . Đã đăng ký Bản quyền.